电源mos管驱动电路如何选型 电源mos管优质品牌推荐
电源mos管驱动电路如何选型 电源mos管优质品牌推荐
電源mos管，選擇到一款正確的MOS管，可以很好地控制生産制造成本，最爲重要的是，爲産品匹配了一款最恰當的元器件，這在産品未來的使用過程中，將會充分發揮其“螺絲釘”的作用，確保設備得到最高效、最穩定、最持久的應用效果。今天分享一下電源mos管驅動電路如何選型,請看下文詳情。
1、電源IC直接驅動MOSFET
图1 IC直接驱动MOSFET
電源IC直接驅動是我們最常用的驅動方式，同時也是最簡單的驅動方式，使用這種驅動方式，應該注意幾個參數以及這些參數的影響。第一，查看一下電源IC手冊，其最大驅動峰值電流，因爲不同芯片，驅動能力很多時候是不一樣的。
第二，了解一下MOSFET的寄生电容，如图1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图 1中Rg减小，也不能解决问题! IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能無限减小。
2、電源IC驅動能力不足時
如果选择MOS管寄生电容比较大，电源IC内部的驱动能力又不足时，需要在驱动电路上增强驱动能力，常使用图腾柱电路增加电源IC驱动能力，其电路如图 2虚线框所示。
图2 图腾柱驱动MOS
這種驅動電路作用在于，提升電流提供能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間，但是減少了關斷時間，開關管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。
3、驅動電路加速MOS管關斷時間
图3 加速MOS关断
關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關管能快速關斷。爲使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅動電阻上並聯一個電阻和一個二極管，如圖3所示，其中D1常用的是快恢複二極管。這使關斷時間減小，同時減小關斷時的損耗。Rg2是防止關斷的時電流過大，把電源IC給燒掉。
图4 改进型加速MOS关断
在第二點介紹的圖騰柱電路也有加快關斷作用。當電源IC的驅動能力足夠時，對圖2中電路改進可以加速MOS管關斷時間，得到如圖4所示電路。用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發射極沒有電阻，當PNP三極管導通時，柵源極間電容短接，達到最短時間內把電荷放完，最大限度減小關斷時的交叉損耗。與圖3拓撲相比較，還有一個好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經過電源IC，提高了可靠性。
4、驅動電路加速MOS管關斷時間
图5 隔离驱动
爲了滿足如圖5所示高端MOS管的驅動，經常會采用變壓器驅動，有時爲了滿足安全隔離也使用變壓器驅動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開直流，通過交流，同時也能防止磁芯飽和。
5、當源極輸出爲高電壓時的驅動
當源極輸出爲高電壓的情況時，我們需要采用偏置電路達到電路工作的目的，既我們以源極爲參考點，搭建偏置電路，驅動電壓在兩個電壓之間波動，驅動電壓偏差由低電壓提供，如下圖6所示。
图6 源极输出为高电压时的驱动电路
除了以上驅動電路之外，還有很多其它形式的驅動電路。對于各種各樣的驅動電路並沒有一種驅動電路是最好的，只有結合具體應用，選擇最合適的驅動。
電源mos管廠家介紹
深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
KIA半導體已經擁有了獨立的研發中心，研發人員以來自韓國(台灣)超一流團隊，可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案，同時引進多台國外先進設備，業務含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統分析、失效分析等領域。
强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项場效應管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为場效應管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
