怎麽做到mos管電子開關實現多點控制
mos管開關電路mos管開關電路
MOS管開關電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構造的電路。MOS管分爲N溝道與P溝道，所以開關電路也主要分爲兩種。
P溝道MOS管開關電路
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導通，而非相對于地的電壓。但是因爲PMOS導通內阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。
N沟道mos管開關電路
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓大于參數手冊中給定的Vgs就可以了，漏極D接電源，源極S接地。需要注意的是Vgs指的是柵極G與源極S的壓差，所以當NMOS作爲高端驅動時候，當漏極D與源極S導通時，漏極D與源極S電勢相等，那麽柵極G必須高于源極S與漏極D電壓，漏極D與源極S才能繼續導通。
mos管電子開關實現多點控制詳解
mos管电子开关实现多点控制电路是由约翰·伦德格伦改编自“拨动开关去抖的按钮”。需要从一个位置接通和从另一个位置关掉负载，这个电路是有用的。任何数量的瞬间（N / O）开关或按钮可并行连接。
在原理圖上的左側的組合（10K，10uF和二極管）保證了電路接通電源時保持負載斷開狀態。如果初始上電狀態不是一個問題，這些組件可以被省略。
當開關按下時，1uF電容被連接到220歐姆和33K電阻連接點，NPN晶體管截止，mos管導通開啓負載。釋放按鈕後，1uF電容通過1M電阻充電。第二次按下開關，1uF電容充電後的電壓被加載到NPN晶體管基極，晶體管導通，mos管關閉，負載斷電。
當開關按下時，1uF電容被連接到220歐姆和33K電阻連接點，NPN晶體管截止，mos管導通開啓負載。釋放按鈕後，1uF電容通過1M電阻充電。第二次按下開關，1uF電容充電後的電壓被加載到NPN晶體管基極，晶體管導通，mos管關閉，負載斷電。
在晶體管的基極加入0.1uF電容，攔截噪聲可能造成的誤觸發，如果開關位于遠離電路。使用12伏，25瓦特汽車燈，和IRFZ44的電路進行了測試。其他的MOSFET大概可以使用。
