mos管的特點及特性-MOS管和IGBT的結構特點等詳解
mos管的特點
mos管的特點是什么？MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
MOS管解析
場效應管主要有两种类型，分别是结型場效應管（JFET）和绝缘栅場效應管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全称是金属 - 氧化物半导体场效应晶体管，由于这种場效應管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅場效應管。
MOSFET又可分爲N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
有的MOSFET內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續流二極管。
關于寄生二極管的作用，有兩種解釋：
1、MOSFET 的寄生二极管，作用是防止 VDD 过压的情况下，烧坏 MOS 管，因为在过压对 MOS 管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免 MOS 管被烧坏。
2、防止 MOS 管的源极和漏极反接时烧坏 MOS 管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。
MOSFET 具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。
mos管的特點-MOS管和IGBT的结构特点
MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。
IGBT 的理想等效电路如下图所示，IGBT 实际就是 MOSFET 和晶体管三极管的组合，MOSFET 存在导通电阻高的缺点，但 IGBT 克服了这一缺点，在高压时 IGBT 仍具有较低的导通电阻。
另外，相似功率容量的 IGBT 和 MOSFET，IGBT 的速度可能会慢于 MOSFET，因为 IGBT 存在关断拖尾时间，由于 IGBT 关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。
mos管的特點及特性
1、導通特性
導通的意義是作爲開關，相當于開關閉合。Vgs滿足一定條件就會導通。
2、損失特性
導通後均有導通電阻存在，電流就會被電阻消耗能量，這部分叫做導通損耗；小功率的管子導通電阻一般幾毫歐幾十毫歐，Vgs電壓不一樣電阻也不一樣。管子在導通和截止時，兩端電壓有個降落過程，電流有個上升過程，在這段時間內管子的損失是電壓和電流的乘積，稱之爲開關損失；通常開關損失比導通損失大很多，頻率越快，損失越大。縮短開關時間，降低開關頻率均能減小開關損失。
3、寄生電容驅動特性
GS GD之间存在寄生电容，MOS管的驱动理论上是对电容的充放电；对电容的充电需要一个电流，由于电容充电瞬间可以看成短路，所以瞬间电流会比较大，所以选型时需要注意抗冲击电流大小。
4、寄生二極管
漏極源極之間有個寄生二極管也叫做體二極管，在感性負載（馬達繼電器）應用中，主要用來保護回路。不過體二極管只在單個MOS管中，集成芯片中是沒有的。
5、轉移特性
場效應管的转移特性是指漏源电压固定时，栅源电压Vgs对漏极电流Id的控制特性；
