場效應管知识-場效應管主要参数、作用和特点详解
場效應管知识-場效應管主要参数、作用和特点详解
場效應管简介
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称場效應管。主要有两种类型：结型場效應管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体場效應管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
場效應管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
場效應管主要参数
(1)直流參數
饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夾斷電壓UP，它可定義爲：當UDS一定時，使ID減小到一個微小的電流時所需的UGS。
開啓電壓UT，它可定義爲：當UDS一定時，使ID到達某一個數值時所需的UGS。
(2)交流參數
低頻跨導gm，它是描述柵、源電壓對漏極電流的控制作用。
极间电容，場效應管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
(3)極限參數
漏、源擊穿電壓，當漏極電流急劇上升時，産生雪崩擊穿時的UDS。
栅极击穿电压，结型場效應管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
場效應管的特点
場效應管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：
（1）場效應管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；
（2）場效應管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高；
（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；
（5）場效應管的抗辐射能力强。
下面我们通过表格把各种場效應管的符号和特性曲线表示出来：
場效應管的作用
1.場效應管可应用于放大。由于場效應管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.場效應管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.場效應管可以用作可变电阻。
4.場效應管可以方便地用作恒流源。
5.場效應管可以用作电子开关。
